Procedimento di drogaggio per semiconduttori
Contitolari:
Istituto Nazionale di Fisica Nucleare
Inventori:
Davide De Salvador, Gianluigi Maggioni, Daniel Ricardo Napoli, Enrico Napolitani
Categoria: Chimica, fisica, nuovi materiali e processi Informatica, elettronica e sistemi di comunicazione
Anno di deposito: 2020
Stato del brevetto: disponibile
Parole chiavi: Semiconduttori, Giunzioni, Contatto p+, Laser melting, Germanio
Numero priorita: IT102020000008662
Abstract:
La procedura brevettata è in grado di produrre giunzioni ad alto drogaggio nei semiconduttori tramite un innovativo procedimento, alternativo all’impiantazione ionica. È un processo economico, adatto ad applicazioni di micro/nanoelettronica e di rilevamento di alta precisione.
Descrizione:
Le attuali tecniche di drogaggio dei semi conduttori presentano varie problematiche che ne hanno limitato l’uso ad esempio in applicazioni di nanoelettronica. L’impiantazione ionica e successivo trattamento termico (annealing) non sempre si presta ai processi di produzione, oltre ad avere un impatto notevole sui costi. Questo innovativo procedimento è invece in grado di creare una superficie ad alto drogaggio grazie all’applicazione del laser melting alla sequenza di depositi (film protettivo e sorgente). Durante il raffreddamento che segue l’impulso laser, si ha la ricrescita cristallina del germanio fuso e il passaggio a fase cristallina coerente del film protettivo depositato. Questa trasformazione permette di controllare lo spessore dello strato e la concentrazione dell’elemento drogante nel contatto, proteggendolo al contempo dall’atmosfera e limitandone la diffusione verso l’esterno, attraverso un processo più economico.
Vantaggi:
- Riduzione dei costi rispetto all'impianto ionico;
- Alta attivazione elettrica;
- Preserva la purezza del materiale sottostante;
- Applicabile a un gran numero di droganti, inclusi quelli sensibili all’atmosfera;
- Eliminazione dell’out-diffusion del drogante;
- Possibilità di variare la concentrazione di drogante e lo spessore del contatto;
- Possibilità di creare giunzioni ultrashallow.
Applicazioni:
Rivelatori di radiazione al germanio iperpuro (HPGe);
Rivelatori di particelle e/o radiazione basati su semiconduttori;
Microelettronica;
Nanoelettronica;
Applicazioni opto-elettroniche.
Scheda pubblicata in data 01/12/2022. Scadenza delle manifestazioni di interesse 02/01/2022.
Per informazioni: trasferimento.tecnologia@unipd.it