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Rubrica

Personale Strutture

Qualifica

Professore Associato

Indirizzo

VIA F. MARZOLO, 8 - PADOVA

Telefono

0498277107

Le attività di ricerca del Prof. De Salvador sono principalmente incentrate sui materiali semiconduttori, con un particolare enfasi nello studio dei processi di drogaggio e dei meccanismi di diffusione nel silicio e nel germanio. Egli utilizza metodologie sperimentali basate su strumenti analitici e di processo disponibili presso il Dipartimento di Fisica di Padova, tra cui:

La Spettrometria di Massa a Ioni Secondari (SIMS) per analizzare il profilo chimico dei dopanti all'interno dei materiali.
La Diffrattometria a Raggi X ad Alta Risoluzione (HRXRD) per investigare difetti strutturali e deformazioni reticolari.
Le misure di Van der Pauw-Hall per quantificare l'attivazione dei dopanti e la mobilità dei portatori di carica.
Il Prof. De Salvador è un esperto in queste metodologie e, in particolare, sovraintende ai laboratori HRXRD e Van der Pauw-Hall. Inoltre, coordina la struttura per misure RBS-NRA-channeling installata presso gli acceleratori AN2000 e CN del LNL.

Per quanto riguarda il processing dei materiali, il Prof. De Salvador è specializzato in metodi di deposizione fisica come lo sputtering e l'evaporazione, nonché nella lavorazione tramite il laser annealing.

La sua competenza include anche la simulazione dei dati sperimentali mediante il calcolo di equazioni differenziali continue, il che agevola lo sviluppo e la calibrazione di modelli fisici predittivi.

Inoltre, il Prof. De Salvador è profondamente coinvolto nella ricerca sul channeling relativistico, che esplora l'interazione coerente dei cristalli con particelle accelerate. Questa ricerca di grande impatto è stata condotta in collaborazione con l'INFN di Ferrara per diversi anni nell'ambito dei progetti CNS5, con recenti pubblicazioni che presentano dati raccolti presso gli acceleratori CN e AN del LNL. La sua competenza si estende anche alla microlavorazione del germanio, alla caratterizzazione dei cristalli e all'accurato allineamento mediante goniometri ad alta precisione.

Negli ultimi anni, il Prof. De Salvador ha contribuito all'esperimento GAMMA dell'INFN, concentrandosi sullo studio dei processi di riparazione e su metodi innovativi per la produzione di contatti nei rivelatori gamma HPGe. Questo impegno ha portato ai progetti PRONG e N3G nell'ambito di CSN5, ottenendo significativi progressi nella creazione di giunzioni nei rivelatori HPGe tramite la tecnica di Fusione Laser Pulsata. L'obiettivo è utilizzare processi di deposizione mediante sputtering e annealing con il laser per creare contatti stabili e altamente segmentati su rivelatori HPGe planari. Lo sviluppo tecnico per l'implementazione di questa tecnologia nei rivelatori Coassiali è stato intrapreso nell'ambito del progetto N3G Call CSN5 da parte del LNL, con il supporto dell'unità FE per lo sviluppo della segmentazione, MI per l'elettronica innovativa e PD per il test avanzato dei rivelatori sotto irradiazione.

Il Prof. De Salvador ricopre il ruolo di coordinatore nazionale per il progetto N3G ed è co-autore del brevetto PCT WO2021214028A1, intitolato "P+ OR N+ TYPE DOPING PROCESS FOR SEMICONDUCTORS," che riguarda il drogaggio con il laser dei semiconduttori mediante film sputterizzati ed è stato esteso negli Stati Uniti e presso l'EPO.

Con circa 170 articoli sottoposti a revisione paritaria a suo nome, il Prof. De Salvador svolge anche il ruolo di revisore per Physical Review Letters.

Avvisi

Area di ricerca

Le attività di ricerca del Prof. De Salvador sono principalmente incentrate sui materiali semiconduttori, con un particolare enfasi nello studio dei processi di drogaggio e dei meccanismi di diffusione nel silicio e nel germanio. Egli utilizza metodologie sperimentali basate su strumenti analitici e di processo disponibili presso il Dipartimento di Fisica di Padova, tra cui:

La Spettrometria di Massa a Ioni Secondari (SIMS) per analizzare il profilo chimico dei dopanti all'interno dei materiali.
La Diffrattometria a Raggi X ad Alta Risoluzione (HRXRD) per investigare difetti strutturali e deformazioni reticolari.
Le misure di Van der Pauw-Hall per quantificare l'attivazione dei dopanti e la mobilità dei portatori di carica.
Il Prof. De Salvador è un esperto in queste metodologie e, in particolare, sovraintende ai laboratori HRXRD e Van der Pauw-Hall. Inoltre, coordina la struttura per misure RBS-NRA-channeling installata presso gli acceleratori AN2000 e CN del LNL.

Per quanto riguarda il processing dei materiali, il Prof. De Salvador è specializzato in metodi di deposizione fisica come lo sputtering e l'evaporazione, nonché nella lavorazione tramite il laser annealing.

La sua competenza include anche la simulazione dei dati sperimentali mediante il calcolo di equazioni differenziali continue, il che agevola lo sviluppo e la calibrazione di modelli fisici predittivi.

Inoltre, il Prof. De Salvador è profondamente coinvolto nella ricerca sul channeling relativistico, che esplora l'interazione coerente dei cristalli con particelle accelerate. Questa ricerca di grande impatto è stata condotta in collaborazione con l'INFN di Ferrara per diversi anni nell'ambito dei progetti CNS5, con recenti pubblicazioni che presentano dati raccolti presso gli acceleratori CN e AN del LNL. La sua competenza si estende anche alla microlavorazione del germanio, alla caratterizzazione dei cristalli e all'accurato allineamento mediante goniometri ad alta precisione.

Negli ultimi anni, il Prof. De Salvador ha contribuito all'esperimento GAMMA dell'INFN, concentrandosi sullo studio dei processi di riparazione e su metodi innovativi per la produzione di contatti nei rivelatori gamma HPGe. Questo impegno ha portato ai progetti PRONG e N3G nell'ambito di CSN5, ottenendo significativi progressi nella creazione di giunzioni nei rivelatori HPGe tramite la tecnica di Fusione Laser Pulsata. L'obiettivo è utilizzare processi di deposizione mediante sputtering e annealing con il laser per creare contatti stabili e altamente segmentati su rivelatori HPGe planari. Lo sviluppo tecnico per l'implementazione di questa tecnologia nei rivelatori Coassiali è stato intrapreso nell'ambito del progetto N3G Call CSN5 da parte del LNL, con il supporto dell'unità FE per lo sviluppo della segmentazione, MI per l'elettronica innovativa e PD per il test avanzato dei rivelatori sotto irradiazione.

Il Prof. De Salvador ricopre il ruolo di coordinatore nazionale per il progetto N3G ed è co-autore del brevetto PCT WO2021214028A1, intitolato "P+ OR N+ TYPE DOPING PROCESS FOR SEMICONDUCTORS," che riguarda il drogaggio con il laser dei semiconduttori mediante film sputterizzati ed è stato esteso negli Stati Uniti e presso l'EPO.

Con circa 170 articoli sottoposti a revisione paritaria a suo nome, il Prof. De Salvador svolge anche il ruolo di revisore per Physical Review Letters.

Tesi proposte

Processo laser doping per lo sviluppo di dispostivi per imaging gamma

La creazione di immagini di sorgenti gamma è un settore di ricerca in forte espansione grazie alle numerose applicazioni in ambito medico, astrofisico e per la sicurezza. Il germanio iperpuro è tra i semiconduttori più interessanti per queste applicazioni, grazie all’elevata risoluzione energetica (bassa gap) e gli ampi volumi di interazione. I processi per ottenere dispositivi segmentati (con contatti elettrici separati elettricamente) sono però scarsamente efficienti, principalmente perché i processi standard della microelettronica possono rovinare la purezza del materiale (1 impurezza dorgante su 10^12 atomi). L’utilizzo di laser impulsati per produrre il drogaggio del contatto è una tecnica estremamente promettente grazie al riscaldamento localizzato e breve indotto nel materiale. Scopo della tesi è produrre e caratterizzare detector segmentati di germanio iperpuro tramite tecnica laser. Lo studente seguirà l’intero processo dall’ideazione tramite simulazioni, alla realizzazione dei contatti tramite processi litografici e laser, al test elettronico dei contatti e delle performance finali del dispositivo. L’attività verrà svolta nei laboratori del DFA e di Legnaro e rappresenta un occasione formativa completa nel mondo dei dispositivi a semiconduttore.