Le attività di ricerca del Prof. De Salvador sono principalmente incentrate sui materiali semiconduttori, con un particolare enfasi nello studio dei processi di drogaggio e dei meccanismi di diffusione nel silicio e nel germanio. Egli utilizza metodologie sperimentali basate su strumenti analitici e di processo disponibili presso il Dipartimento di Fisica di Padova, tra cui:La Spettrometria di Massa a Ioni Secondari (SIMS) per analizzare il profilo chimico dei dopanti all'interno dei materiali.La Diffrattometria a Raggi X ad Alta Risoluzione (HRXRD) per investigare difetti strutturali e deformazioni reticolari.Le misure di Van der Pauw-Hall per quantificare l'attivazione dei dopanti e la mobilità dei portatori di carica.Il Prof. De Salvador è un esperto in queste metodologie e, in particolare, sovraintende ai laboratori HRXRD e Van der Pauw-Hall. Inoltre, coordina la struttura per misure RBS-NRA-channeling installata presso gli acceleratori AN2000 e CN del LNL.Per quanto riguarda il processing dei materiali, il Prof. De Salvador è specializzato in metodi di deposizione fisica come lo sputtering e l'evaporazione, nonché nella lavorazione tramite il laser annealing.La sua competenza include anche la simulazione dei dati sperimentali mediante il calcolo di equazioni differenziali continue, il che agevola lo sviluppo e la calibrazione di modelli fisici predittivi.Inoltre, il Prof. De Salvador è profondamente coinvolto nella ricerca sul channeling relativistico, che esplora l'interazione coerente dei cristalli con particelle accelerate. Questa ricerca di grande impatto è stata condotta in collaborazione con l'INFN di Ferrara per diversi anni nell'ambito dei progetti CNS5, con recenti pubblicazioni che presentano dati raccolti presso gli acceleratori CN e AN del LNL. La sua competenza si estende anche alla microlavorazione del germanio, alla caratterizzazione dei cristalli e all'accurato allineamento mediante goniometri ad alta precisione.Negli ultimi anni, il Prof. De Salvador ha contribuito all'esperimento GAMMA dell'INFN, concentrandosi sullo studio dei processi di riparazione e su metodi innovativi per la produzione di contatti nei rivelatori gamma HPGe. Questo impegno ha portato ai progetti PRONG e N3G nell'ambito di CSN5, ottenendo significativi progressi nella creazione di giunzioni nei rivelatori HPGe tramite la tecnica di Fusione Laser Pulsata. L'obiettivo è utilizzare processi di deposizione mediante sputtering e annealing con il laser per creare contatti stabili e altamente segmentati su rivelatori HPGe planari. Lo sviluppo tecnico per l'implementazione di questa tecnologia nei rivelatori Coassiali è stato intrapreso nell'ambito del progetto N3G Call CSN5 da parte del LNL, con il supporto dell'unità FE per lo sviluppo della segmentazione, MI per l'elettronica innovativa e PD per il test avanzato dei rivelatori sotto irradiazione.Il Prof. De Salvador ricopre il ruolo di coordinatore nazionale per il progetto N3G ed è co-autore del brevetto PCT WO2021214028A1, intitolato "P+ OR N+ TYPE DOPING PROCESS FOR SEMICONDUCTORS," che riguarda il drogaggio con il laser dei semiconduttori mediante film sputterizzati ed è stato esteso negli Stati Uniti e presso l'EPO.Con circa 170 articoli sottoposti a revisione paritaria a suo nome, il Prof. De Salvador svolge anche il ruolo di revisore per Physical Review Letters.
