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Rubrica

Personale Strutture

ANDREA CESTER

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Qualifica

Professore Associato

Struttura

Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI

Indirizzo

VIA G. GRADENIGO, 6/B - PADOVA

Telefono

0498277787

E-mail

andrea.cester@unipd.it

* Maggio 1998:
Laureato in INGEGNERIA ELETTRONICA con voto 110/110 e lode, presso l’Università degli Studi di Padova, discutendo una tesi intitolata: “Analisi della corrente di eccesso indotta da stress elettrico o radiazione ionizzante su MOS con ossido ultrasottile”. La tesi di laurea è stata svolta in collaborazione con ST Microelectronics, Agrate Brianza.

* Novembre 1998:
Abilitato alla professione di Ingegnere presso l'Università degli Studi di Padova nella seconda sessione dell'anno 1998.

* Periodo novembre 1998-ottonbre 2001:
Dottorato di ricerca in Ingegneria Elettronica e delle Telecomunicazioni (XIV ciclo), presso l'Università di Padova. L'oggetto principale dell'attività di ricerca riguarda lo studio dell'affidabilità degli ossidi ultrasottili (2-6 nm) realizzati con diverse tecniche e impiegati nei dispositivi MOSFET per applicazioni ULSI. L’attività di ricerca è stata sviluppata in collaborazione con diversi istituti di ricerca, nazionali ed internazionali, quali: ST Microelectronics (Agrate Brianza, MI), CNR-ISOF (Bologna), Laboratori Nazionali di Fisica Nucleare di Legnaro – INFN (Legnaro, PD), “Istitute National Politecnique de Grenoble, INPG” (Grenoble, FRANCIA), Universitat Autònoma de Barcelona, (Bellaterra, Spagna), Saifun Semiconductors, (Netanya, Israele).

* Febbraio 2002:
Conseguito il titolo di dottore di Ricerca in Ingegneria Elettronica e delle Telecomunicazioni, discutendo una tesi dal titolo “Electrical properties of MOS devices with ultra thin oxides after electrical and radiation stresses”.

* Marzo 2002:
Assegno di ricerca biennale rinnovabile dell’Università di Padova dal titolo: “Limiti all’integrazione di tecnologie microelettroniche CMOS”, Macroarea 5 – Ingegneria, Area Scientifico Disciplinare 11 – Ingegneria dell’informazione.

* 20 Dicembre 2002:
Prende servizio come Ricercatore Universitario (SSD ING-INF/01) presso la Facoltà di Ingegneria dell’Università di Padova, ove afferisce al Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione

* 1 Dicembre 2014
Prende servizio come Professore Associato (SSD ING-INF/01) presso il Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione

Dal dicembre 2002 la sua attività di ricerca è focalizzata sulla caratterizzazione, modellizzazione e studio di affidabilità di svariati tipi di dispositivi elettronici: dalle tecnologie CMOS sub-micrometriche in silicio, ai semiconduttori III-V, alle memorie non volatili convenzionali e avanzate, ai semiconduttori organici.
Nel 2008, avvia da zero una nuova linea di ricerca e un nuovo laboratorio presso il gruppo di microelettronica dell’Università di Padova, completamente finalizzati allo studio dell’affidabilità dei dispositivi elettronici, optoelettronici e fotovoltaici su semiconduttore organico. Questa attività ha inizio mediante un progetto di ricerca finanziato dall’Ateneo di Padova (CPDA083941/08 , “Caratterizzazione e affidabilità di dispositivi elettronici organici per applicazioni a basso costo e basso”, resp. A. Cester), e continua tutt’oggi all’interno di vari progetti tra i quali uno finanziato dalla Regione Veneto (Progetto Della Regione Veneto Progetto SMUPR n. 4148 “Polo di Ricerca nel settore fotovoltaico”).

Avvisi

Insegnamenti

Pubblicazioni

Pubblicazioni più rilevanti:
(Lista completa: www.dei.inipd.it\~cester)

Lorenzo Torto, Andrea Cester, Nicola Wrachien, Antonio Rizzo, Desta Gedefaw, Mats R. Andersson, Mirko Seri, Michele Muccini,
"Application of an Open-Circuit Voltage Decay Model to Compare the Performances of Donor Polymers in Bulk Heterojunction Solar Cells",
IEEE Journal of Photovoltaics, Vol. 8, n. 2, p. 517-524, March 2018,
DOI:10.1109/JPHOTOV.2018.2792461

Nicolò Lago and Andrea Cester,
"Flexible and Organic Neural Interfaces: A Review",
Applied Sciences, Vol. 7, n. 12, p. 1292, 2017,
DOI:10.3390/app7121292

L. Torto, A. Cester, A. Rizzo, N. Wrachien, S. A. Gevorgyan, M. Corazza, F. C. Krebs,
"Model of organic solar cell photocurrent including the effect of charge accumulation at interfaces and non-uniform carrier generation",
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol. 4, n. 6, p. 387-395, 2016,
DOI:10.1109/JEDS.2016.2602563

N. Lago, A. Cester, N. Wrachien, E. Benvenuti, S. D. Quiroga, M. Natali, S. Toffanin, M. Muccini, G. Meneghesso,
"Investigation of Mobility Transient on Organic Transistor by Means of DLTS Technique",
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 63, n. 11, p. 4432-4439, 2015,
DOI:10.1109/TED.2016.2611142

A. Rizzo, L. Torto, N. Wrachien, M. Corazza, F. C. Krebs, S. A. Gevorgyan, A. Cester,
"Application of Photocurrent Model on Polymer Solar Cells Under Forward Bias Stress",
IEEE Journal of Photovoltaics, Vol. 6, n. 6, p. 1542-1548, 2016,
DOI:10.1109/JPHOTOV.2016.2603841

A. Rizzo, A. Cester, N. Wrachien, N. Lago, L. Torto, M. Barbato, J. Favaro, S. A. Gevorgyan, M. Corazza, F. C. Krebs,
"Characterization and modeling of organic (P3HT:PCBM) solar cells as a function of bias and illumination",
Solar Energy Materials and Solar Cells, Vol. 157, p. 337–345, June 2016,
DOI: 10.1016/j.solmat.2016.06.001

N. Lago, A. Cester, Nicola Wrachien, Marco Natali, S. D. Quiroga, S. Bonetti, M. Barbato, A. Rizzo, E. Benvenuti, V. Benfenati, M. Muccini, S. Toffanin, G. Meneghesso,
"A physical-based equivalent circuit model for an organic/electrolyte interface",
Organic Electronics, Vol. 35, p. 176–185, August 2016,
DOI: 10.1016/j.orgel.2016.05.018

N. Lago, A. Cester, N. Wrachien, I. Tomasino, S. Toffanin, S. D. Quiroga, E. Benvenuti, M. Natali, M. Muccini, and G. Meneghesso,
"On the Pulsed and Transient Characterization of Organic Field-Effect Transistors",
IEEE - Electron Device Letters, Vol.36 , n.12 , p.1359-1362, Dec. 2015,
DOI: 10.1109/LED.2015.2496336

N. Wrachien, A. Cester, N. Lago, A. Rizzo, R. D’Alpaos, A. Stefani, G. Turatti, M. Muccini, G. Meneghesso,
"Reliability study of organic complementary logic inverters using constant voltage stress",
Solid-State Electronics, Vol. 113, n. 11, p. 151-156, Nov. 2015,
DOI: 10.1016/j.sse.2015.05.028

A. Cester, A. Rizzo, A. Bazzega, N. Lago, J. Favaro, M. Barbato, N. Wrachien, S.A. Gevorgyan, M. Corazza, F.C. Krebs,
"Effects of constant voltage and constant current stress in PCBM: P3HT solar cells",
Microelectronics Reliability, Vol. 55, n.9-10, p. 1795-1799, Aug-Sept. 2015
DOI: 10.1016/j.microrel.2015.06.082

N. Wrachien, N. Lago, A. Rizzo, R. D'Alpaos, A. Stefani, G. Turatti, M. Muccini, G. Meneghesso, A. Cester,
"Effects of thermal and electrical stress on DH4T-based organic thin-film-transistors with PMMA gate dielectrics",
Microelectronics Reliability, Vol. 55, n.9-10, p. 1790-1794, Aug-Sept. 2015
DOI: 10.1016/j.microrel.2015.06.073

Area di ricerca

1) Caratterizzazione, modellizzazione e affidabilità di dispositivi elettronici e optoelettronici su semiconduttore organico: Transistor a Film Sottile (OTFT) e LED organici (OLED) - (2008 – oggi);

2) Caratterizzazione, modellizzazione e affidabilità di celle solari organiche (polimeriche) inorganiche e ibride organico-inorganico (2008 oggi).

3) Caratterizzazione e affidabilità di interruttori MEMS RF (2011 – oggi).

4) Affidabilità dei dispositivi CMOS submicrometrici: rottura e degradazione indotti da elettroni caldi in ossidi di gate ultrasottili, effetto di scariche elettrostatiche (1998 – 2007);

5) Effetti di radiazione ionizzante su ossidi di gate ultrasottili, transistor MOSFET in tecnologia bulk-CMOS e SOI (1998 – 2007);

6) Effetti di radiazione ionizzante su memorie non volatili avanzate: memorie a nanocristalli, memorie a cambiamento di fase e memorie ferroelettriche (2005 – 2008);

L’attività di ricerca è stata oggetto di più di 170 pubblicazioni, presentate a convegni internazionali o pubblicate in riviste internazionali.

L’attività di ricerca è stata svolta in collaborazione con laboratori di ricerca, industrie e università italiani e stranieri, tra cui:
ST Microelectronics (Catania), ST Microelectronics (Agrate Brianza), ST Microelectronics (Crolles, Francia), Saifun Semiconductor (Netanya, Israele), Universal Display Corporation (New Jersey, USA).
IMEP-ENSERG (Grenoble, Francia), Universitat Autònoma de Barcelona (Bellaterra, Spagna), Università di Roma “Tor Vergata”, Università di Bratislava (Bratislava, Slovacchia), Università di Purdue (IN, USA).
CEA-LETI (Grenoble, Francia), Sandia National Lab. (Albuquerque, NM, USA), IMEC (Leuven Belgio), Laboratori Nazionali di Fisica Nucleare di Legnaro – INFN, (Legnaro, PD), CERN (Ginevra, Svizzera), CIVEN (Venezia), CNR-ISOF (Bologna), CNR-ISMN (Bologna), DTU (Roskilde, Danimarca).