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GaN Marathon 2.0

Dal 18 aprile 2018 al 19 aprile 2018

Convegno internazionale sulle più recenti ricerche sul nitruro di gallio e sulle sue tecnologie. Questo materiale rappresenta il futuro dell’elettronica dopo il silicio, con molteplici applicazioni: comunicazioni 5G ultraveloci, conversione efficiente dell’energia, sistemi LED e laser per illuminazione, lampade ultraviolette per applicazioni medicali. Un'innovazione significativa in questi campi non sarebbe impossibile utilizzando solo il silicio, il materiale di riferimento per l’elettronica convenzionale.

Il grande pubblico già utilizza il GaN, dal momento che è la base di tutte le lampade a LED attualmente in commercio. Nel futuro, grazie al GaN sarà possibile rendere più efficienti gli impianti fotovoltaici, gestire l’energia nelle auto elettriche, realizzare sistemi di comunicazione a larga banda per 5G, progettare dispositivi innovativi per la comunicazione satellitare.

La prima edizione della GaN Marathon (2016) ha visto come ospite il premio Nobel per la fisica Hiroshi Amano (Univ. Nagoya); a questa seconda edizione parteciperanno relatori dalle principali università (Padova, Cambridge, Berlino, Leuven, Lille, …) e industrie europee (OSRAM, Infineon, ONSemiconductor, ecc). In aggiunta, tre keynote speakers statunitensi, apriranno il convegno, provenienti dall’MIT, Università della California a Santa Barbara, e Cornell University. Più di 150 persone si sono già iscritte al convegno, e gli organizzatori aspettano il tutto esaurito. Il nitruro di gallio sta creando una nuova rivoluzione nell'ambito dell'elettronica, e l'Università di Padova è uno dei centri di riferimento nel settore.

L'iscrizione, obbligatoria, richiede il pagamento di una quota.

 

Dove: Orto botanico - via Orto botanico, 15 - Padova
Quando: 18-19 aprile 2018
Approfondimenti: sito web